博世創業投資公司投資致能科技，加速第三代半導體布局
2022-9-14 來源：博世 作者：-
以高性能GaN器件應對能源管理挑戰
中國，上海——隸屬于博世集團的羅伯特•博世創業投資公司（以下簡稱“博世創投”）已完成對廣東致能科技有限公司（以下簡稱“致能科技”）的Pre-A輪投資。致能科技總部位于廣州，是國內領先的氮化鎵IDM(Integrated Device Manufacturer)公司。憑借其在氮化鎵器件領域的豐富經驗和創新技術，致能科技致力于研發新一代氮化鎵功率器件，在現有基礎上全面提升氮化鎵工作電壓、導電能力、開關頻率等關鍵性能參數，助力實現更高效的功率管理系統。
根據市場研究機構Yole Développement最新報告，全球功率半導體市場預計將由2020年的175億美元增長至2026年的262億美元，未來5年年均復合增長率達到7%。全球碳中和的共識帶來了綠色能源管理、新能源汽車、可再生能源等領域的更高需求，而氮化鎵芯片正是實現上述目標的關鍵技術。
“中國是全球最大的同時也是增長最快的功率半導體市場，氮化鎵則是實現下一代功率系統進而實現碳中和的關鍵技術之一。憑借著工藝和器件結構的創新，致能科技將更加充分的發揮出氮化鎵在功率領域的技術潛力，”博世創投投資合伙人及中國區業務負責人孫曉光表示，“對致能科技的投資將進一步豐富我們在第三代半導體領域的布局。”
氮化鎵材料的BFOM（Baliga Figure of Merit，系用于評價功率半導體材料綜合性能的最常用指標之一）參數分別達到硅材料的2400倍、碳化硅材料的5倍。由于其優異的材料性能以及制造工藝上的長足進步，氮化鎵功率器件近年來正在快速進入快充、電源、IDC（Internet Data Center）等市場。盡管如此，由于器件結構的限制，氮化鎵材料的優勢仍遠未得到充分發揮，基于氮化鎵材料的功率器件性能仍有巨大的提升空間。致能科技在氮化鎵設備、工藝、器件以及系統設計等各領域擁有全棧式的技術積累。憑借其在工藝及器件的底層創新，致能科技將進一步加速氮化鎵的市場滲透，并逐漸將其應用領域擴展至汽車及工業市場。博世創投將與其它股東一起，共同為致能科技團隊持續提供有力支持，助力中國第三代半導體產業發展。
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如果您有機床行業、企業相關新聞稿件發表，或進行資訊合作，歡迎聯系本網編輯部， 郵箱：skjcsc@vip.sina.com
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